T_ACCEM 515—2025_高性能高密度沟槽栅IGBT器件.pdf
<h3>一、基本信息</h3><p>文档名称：T_ACCEM 515—2025_高性能高密度沟槽栅IGBT器件</p>
<p>文档格式：pdf格式</p>
<p>文档大小：0.35MB</p>
<p>总页数：7页</p>
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<h3>二、简介</h3>
<p>T_ACCEM 515—2025是一款高性能高密度沟槽栅IGBT器件，专为高效能电力电子应用设计。该器件采用先进的沟槽栅技术，提升了导通性能与开关速度，同时降低了损耗。其高密度结构优化了芯片面积利用率，适用于工业变频器、新能源汽车及智能电网等领域。T_ACCEM 515—2025具备良好的热稳定性与可靠性，能够满足严苛工作环境下的运行需求。该产品符合行业标准，为用户提供更高效、更稳定的功率控制解决方案。</p>
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<h3>三、预览</h3>
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