T_CASAS 021—2024_碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs).pdf
<h3>一、基本信息</h3><p>文档名称：T_CASAS 021—2024_碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)</p>
<p>文档格式：pdf格式</p>
<p>文档大小：0.62MB</p>
<p>总页数：56页</p>
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<h3>二、简介</h3>
<p>《T_CASAS 021—2024_碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)》是一项关于碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的技术标准。该标准规定了SiC MOSFETs的术语、分类、技术要求、测试方法及检验规则等内容，旨在规范产品性能和质量控制。适用于电力电子领域中的高功率、高温、高频应用场合。通过该标准的实施，有助于提升SiC MOSFETs的产品一致性与可靠性，推动碳化硅器件在新能源、电动汽车及智能电网等领域的广泛应用。</p>
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<h3>三、预览</h3>
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