T_CASAS 033—2024_碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功.pdf
<h3>一、基本信息</h3><p>文档名称：T_CASAS 033—2024_碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功</p>
<p>文档格式：pdf格式</p>
<p>文档大小：0.88MB</p>
<p>总页数：68页</p>
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<h3>二、简介</h3>
<p>《T_CASAS 033—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功》是一部关于碳化硅功率器件的技术标准文件。该文件详细规定了SiC MOSFET的性能参数、测试方法及应用要求，旨在推动碳化硅器件在电力电子领域的规范化发展。通过统一技术指标，有助于提升产品质量与可靠性，促进相关产业的技术升级与应用拓展。该标准适用于电力电子系统中使用SiC MOSFET的各类设备设计与制造，对提高能源转换效率、降低系统损耗具有重要意义。</p>
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<h3>三、预览</h3>
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