T_CASAS 034—2024_用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测.pdf
<h3>一、基本信息</h3><p>文档名称：T_CASAS 034—2024_用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测</p>
<p>文档格式：pdf格式</p>
<p>文档大小：0.69MB</p>
<p>总页数：13页</p>
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<h3>二、简介</h3>
<p>《T_CASAS 034—2024 用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测》是一项针对氮化镓（GaN）器件在特定电路应用中性能评估的标准文件。该标准旨在规范零电压软开通电路中GaN HEMT器件动态导通电阻的测试方法，确保其在高频、高效率电力电子系统中的可靠性和稳定性。通过标准化测试流程和参数定义，该标准有助于提升GaN器件在功率转换领域的应用水平，推动新一代高效能电力电子技术的发展。</p>
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<h3>三、预览</h3>
<img src="https://d.z3060.com/docthumbnail/202509/06/svrgy4m4kwr.webp" title="T_CASAS 034—2024_用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测" alt="T_CASAS 034—2024_用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测">
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