T_CASAS 046—2024_碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动.pdf
<h3>一、基本信息</h3><p>文档名称：T_CASAS 046—2024_碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动</p>
<p>文档格式：pdf格式</p>
<p>文档大小：0.6MB</p>
<p>总页数：44页</p>
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<h3>二、简介</h3>
<p>《T_CASAS 046—2024_碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动》是一部关于碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的技术标准文件。该文件详细规定了SiC MOSFET的产品分类、技术要求、测试方法及检验规则等内容，旨在规范产品质量，提升产品性能和可靠性。适用于电力电子领域中的高功率、高频应用场合，对于推动碳化硅器件在新能源、电动汽车及智能电网等领域的应用具有重要意义。</p>
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<h3>三、预览</h3>
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