T_WHQASA 12—2024_10.5G 化学气相沉积设备用下部加热基座.pdf
<h3>一、基本信息</h3><p>文档名称：T_WHQASA 12—2024_10.5G 化学气相沉积设备用下部加热基座</p>
<p>文档格式：pdf格式</p>
<p>文档大小：0.37MB</p>
<p>总页数：7页</p>
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<h3>二、简介</h3>
<p>T_WHQASA 12—2024_10.5G 化学气相沉积设备用下部加热基座是一款专为半导体制造领域设计的关键部件。该基座采用高纯度材料制造，具备优异的热传导性能和稳定的温度控制能力，能够有效提升化学气相沉积（CVD）工艺的均匀性和重复性。其结构设计符合10.5G级别的先进制程需求，适用于多种薄膜沉积应用。该产品在高温环境下表现出良好的耐久性和可靠性，有助于提高生产效率和产品质量。广泛应用于集成电路、LED及光伏等领域，是现代半导体制造中不可或缺的核心组件。</p>
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<h3>三、预览</h3>
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