SiC微粒辅助掩膜电解加工金属微孔阵列结构的研究
文档名：SiC微粒辅助掩膜电解加工金属微孔阵列结构的研究
摘要：针对掩膜电解加工(TMECM)金属微孔阵列结构存在定域性差、微孔孔径的加工精度及刻蚀深度难以满足要求的问题,提出了SiC微粒辅助掩膜电解加工(PA-TMECM)的方法.研究了SiC微粒直径、质量浓度及电解液流量对304不锈钢表面微孔阵列结构加工效果的影响,探讨了微粒辅助掩膜电解加工的作用机制.实验结果表明:当SiC微粒质量浓度为6g/L、直径为40μm、电解液流量为3000mL/min时,加工定域性最佳,蚀刻因子为3.52.在微粒辅助掩膜电解加工过程中,微粒通过持续、高频的冲击作用有效去除了阳极表面的电解产物,增大了微孔刻蚀深度,限制了侧向刻蚀,最终提高了掩膜电解加工的定域性.
作者：杜立群 郑昆明 于明新 程浩浩 王舒萱 Author：DULiqun ZHENGKunming YUMingxin CHENGHaohao WANGShuxuan
作者单位：大连理工大学,高性能精密制造全国重点实验室,辽宁大连116024;大连理工大学,辽宁省微纳米及系统重点实验室,辽宁大连116024大连理工大学,辽宁省微纳米及系统重点实验室,辽宁大连116024
刊名：电镀与涂饰 ISTICPKU
Journal：Electroplating&Finishing
年，卷(期)：2023, 42(7)
分类号：TG175
关键词：奥氏体不锈钢掩膜电解加工碳化硅微粒微孔阵列结构定域性蚀刻因子
机标分类号：TG142.71TG662TM912.9
在线出版日期：2023年4月28日
基金项目：国家自然科学基金SiC微粒辅助掩膜电解加工金属微孔阵列结构的研究[
期刊论文]电镀与涂饰--2023, 42(7)杜立群郑昆明于明新程浩浩王舒萱针对掩膜电解加工(TMECM)金属微孔阵列结构存在定域性差、微孔孔径的加工精度及刻蚀深度难以满足要求的问题,提出了SiC微粒辅助掩膜电解加工(PA-TMECM)的方法.研究了SiC微粒直径、质量浓度及电解液流量对304不锈钢表面微孔...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
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