大马士革工艺中电镀铜层杂质对其性能的影响
文档名：大马士革工艺中电镀铜层杂质对其性能的影响
摘要：分别采用聚醚胺类物质、聚乙烯亚胺类物质和聚酰胺类物质作为大马士革铜互连电镀工艺的整平剂,得到杂质含量不同的Cu膜层,通过计时电位测试分析了不同整平剂对膜层杂质含量的影响机制.研究了杂质含量对Cu膜层自退火速率、应力和电阻率的影响.结果表明,膜层中杂质含量过高会引起Cu膜层的电阻和应力升高.采用聚乙烯亚胺类物质或聚酰胺类物质作为整平剂时电镀所得Cu膜层的杂质含量都较低.
作者：孙红旗王溯于仙仙马丽Author：SUNHongqiWANGSuYUXianxianMALi
作者单位：上海新阳半导体材料股份有限公司,上海201616;上海市集成电路关键工艺材料重点实验室,上海201616
刊名：电镀与涂饰 ISTICPKU
Journal：Electroplating&Finishing
年，卷(期)：2023, 42(9)
分类号：TQ153.1+4
关键词：大马士革工艺电镀铜整平剂杂质自退火电阻率应力晶粒
机标分类号：TQ153.14TG174.45TN41
在线出版日期：2023年6月2日
基金项目：大马士革工艺中电镀铜层杂质对其性能的影响[
期刊论文]电镀与涂饰--2023, 42(9)孙红旗王溯于仙仙马丽分别采用聚醚胺类物质、聚乙烯亚胺类物质和聚酰胺类物质作为大马士革铜互连电镀工艺的整平剂,得到杂质含量不同的Cu膜层,通过计时电位测试分析了不同整平剂对膜层杂质含量的影响机制.研究了杂质含量对Cu膜层自退火速率、...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
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