高端电子制程中钴化学机械抛光剂的研究进展Ⅰ──氧化剂
文档名：高端电子制程中钴化学机械抛光剂的研究进展Ⅰ──氧化剂
摘要：介绍了化学机械抛光(CMP)的基本原理.概述了Co作为阻挡层及互连材料时,化学机械抛光液中常用氧化剂(包括H2O2、NaClO和K2S2O8)的研究进展和作用机制.
作者：段欣雨万传云吴兆键倪哲易王浩宇Author：DUANXinyuWANChuanyunWUZhaojianNIZheyiWANGHaoyu
作者单位：上海应用技术大学化学与环境工程学院,上海201418
刊名：电镀与涂饰 ISTICPKU
Journal：Electroplating&Finishing
年，卷(期)：2023, 42(5)
分类号：TG178TQ153.6
关键词：高端电子钴化学机械抛光抛光液氧化剂综述
机标分类号：TG739TG175O646.6
在线出版日期：2023年4月3日
基金项目：高端电子制程中钴化学机械抛光剂的研究进展(Ⅰ)──氧化剂[
期刊论文]电镀与涂饰--2023, 42(5)段欣雨万传云吴兆键倪哲易王浩宇介绍了化学机械抛光(CMP)的基本原理.概述了Co作为阻挡层及互连材料时,化学机械抛光液中常用氧化剂(包括H2O2、NaClO和K2S2O8)的研究进展和作用机制.参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
本文读者也读过
相似文献
相关博文
高端电子制程中钴化学机械抛光剂的研究进展(Ⅰ)──氧化剂Progress in research of slurry for chemical mechanical polishing of cobalt during fabrication of high-end electronics: Part Ⅰ — Oxidants
高端电子制程中钴化学机械抛光剂的研究进展(Ⅰ)──氧化剂.pdf
页:
[1]