电容隔离式栅极驱动电路设计
文档名：电容隔离式栅极驱动电路设计
摘要：针对功率半导体器件不断提升的开关频率和工作电压等级使得传统的栅极驱动电路面临着传输延时长、共模瞬态抑制能力(CMTI)不高等一系列缺点,设计了一种电容隔离式的栅极驱动电路,该驱动电路分为低压侧发射端和高压侧接收端2个部分.提出了一种预放大器结构可增强栅极驱动电路的抗噪声能力;也提出了一种改进型包络解调结构可有效降低信号解调的脉冲宽度失真.后仿真结果表明:此栅极驱动电路的CMTI能力高达100kV/μs,信号典型传输延时为77ns,脉冲宽度失真为2ns.
作者：黄晓义 刘天天 赵一泽 俞跃辉 程新红 Author：HUANGXiaoyi LIUTiantian ZHAOYize YUYuehui CHENGXinhong
作者单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料重点实验室,上海200050;中国科学院大学材料科学与光电工程中心,北京100049中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料重点实验室,上海200050
刊名：传感器与微系统 ISTICPKU
Journal：TransducerandMicrosystemTechnologies
年，卷(期)：2023, 42(2)
分类号：TM13
关键词：电容隔离栅极驱动电路开关键控调制共模瞬态抑制能力脉冲宽度失真
机标分类号：TN312.8TP273TN912.203.1
在线出版日期：2023年3月13日
基金项目：国家自然科学基金，上海市科技创新行动计划资助项目电容隔离式栅极驱动电路设计[
期刊论文]传感器与微系统--2023, 42(2)黄晓义刘天天赵一泽俞跃辉程新红针对功率半导体器件不断提升的开关频率和工作电压等级使得传统的栅极驱动电路面临着传输延时长、共模瞬态抑制能力(CMTI)不高等一系列缺点,设计了一种电容隔离式的栅极驱动电路,该驱动电路分为低压侧发射端和高压侧接收...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
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