基于SOISOG键合的圆片级真空封装MEMS电场传感器
文档名：基于SOISOG键合的圆片级真空封装MEMS电场传感器
摘要：圆片级真空封装是提高微电子机械系统(Micro-Electro-MechanicalSystems,MEMS)电场传感器品质因数及批量化制造效率的重要途径.本文提出了一种基于绝缘体上硅(SiliconOnInsulator,SOI)-玻璃体上硅(SiliconOnGlass,SOG)键合的圆片级真空封装MEMS电场传感器,设计并实现了从传感器敏感结构制备到真空封装的整套圆片级加工工艺.本文建立了传感器的结构电容模型,进行了有限元仿真,分析了传感器的特性,突破了传感器微结构制备与释放、SOI与SOG键合等工艺技术难点.该传感器具有工作电压低、品质因数高的突出优点.实验结果表明,工作电压仅为5V直流与0.05V交流电压.在60天测试过程中,传感器品质因数始终保持在5000以上.在0～50kV/m范围内,传感器灵敏度为0.15mV/(kV/m),线性度为2.21％,不确定度为4.74％.
作者：刘俊 夏善红 彭春荣 储昭志 雷虎成 刘向明 张洲威 张巍 彭思敏 高雅浩 Author：LIUJun XIAShan-hong PENGChun-rong CHUZhao-zhi LEIHu-cheng LIUXiang-ming ZHANGZhou-wei ZHANGWei PENGSi-min GAOYa-hao
作者单位：中国科学院空天信息创新研究院传感技术联合国家重点实验室,北京100094;中国科学院大学电子电气与通信工程学院,北京100049中国科学院空天信息创新研究院传感技术联合国家重点实验室,北京100094中国科学院微电子研究所,北京100029
刊名：电子学报 ISTICEIPKU
Journal：ActaElectronicaSinica
年，卷(期)：2023, 51(9)
分类号：TP212
关键词：MEMS电场传感器圆片级真空封装模型制备
Keywords：MEMSelectricfieldsensorwafer-levelvacuumpackagemodelfabrication
机标分类号：TP332TP271.4TN253
在线出版日期：2023年12月26日
基金项目：基于SOI-SOG键合的圆片级真空封装MEMS电场传感器[
期刊论文]电子学报--2023, 51(9)刘俊夏善红彭春荣储昭志雷虎成刘向明张洲威张巍彭思敏高雅浩圆片级真空封装是提高微电子机械系统(Micro-Electro-MechanicalSystems,MEMS)电场传感器品质因数及批量化制造效率的重要途径.本文提出了一种基于绝缘体上硅(SiliconOnInsulator,SOI)-玻璃体上硅(SiliconOnGlass,...参考文献和引证文献
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