基于硅基三维集成技术的W频段有源相控阵微系统
文档名：基于硅基三维集成技术的W频段有源相控阵微系统
摘要：本文基于硅基三维集成技术,提出了一种高集成度低剖面的W频段有源相控阵微系统.将阵列划分为若干个2×4单元的W频段相控阵子阵微系统.每个子阵微系统采用了三维布局封装结构,内部一体化集成了天线、有源芯片和无源网络等功能单元.以子阵微系统为基本单元,利用阵列扩展技术将8个子阵微系统拼接成为8×8单元的W频段有源相控阵阵列.设计了高耦合度低损耗的CPW共面波导(co-planarwaveguide,CPW)传输线、基于TSV硅通孔(throughsiliconvia,TSV)的准同轴垂直传输结构、基于微凸点的hot-via芯片接口等高频传输结构,解决了天线阵列到有源芯片的W频段信号层间传输难题.样机加工测试结果表明,92～96GHz频率范围内,该相控阵阵列可实现二维波束快速扫描功能,扫描角达到±40°,重量仅为85g,剖面厚度仅为7.4mm.
作者：杨驾鹏 周骏 曹志翔 孟洪福 沈亚 Author：YANGJia-peng ZHOUJun CAOZhi-xiang MENGHong-fu SHENYa
作者单位：南京国博电子股份有限公司,江苏南京211111;东南大学毫米波国家重点实验室,江苏南京210096南京国博电子股份有限公司,江苏南京211111东南大学毫米波国家重点实验室,江苏南京210096
刊名：电子学报 ISTICEIPKU
Journal：ActaElectronicaSinica
年，卷(期)：2023, 51(8)
分类号：TN927.23
关键词：W频段微系统三维集成有源相控阵
Keywords：Wbandmicrosystemthreedimensionalintegrationactivephasearray
机标分类号：TP332TN82H3.1
在线出版日期：2023年11月23日
基金项目：基于硅基三维集成技术的W频段有源相控阵微系统[
期刊论文]电子学报--2023, 51(8)杨驾鹏周骏曹志翔孟洪福沈亚本文基于硅基三维集成技术,提出了一种高集成度低剖面的W频段有源相控阵微系统.将阵列划分为若干个2×4单元的W频段相控阵子阵微系统.每个子阵微系统采用了三维布局封装结构,内部一体化集成了天线、有源芯片和无源网络等功...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
本文读者也读过
相似文献
相关博文
基于硅基三维集成技术的W频段有源相控阵微系统W Band Active Phased Array Micro System Based on Silicon Three Dimensional Integration Technique
基于硅基三维集成技术的W频段有源相控阵微系统.pdf
页:
[1]